УЧЕНЫЙ, УЧИТЕЛЬ, СОЛДАТ
Наш корр.
Ученый, Учитель, Солдат — такими словами характеризовали
жизненный путь и научную деятельность академика Анатолия
Васильевича Ржанова (1920–2000 гг.) участники торжественного
открытия памятника-надгробия на его могиле и мемориальной доски
на главном здании Института физики полупроводников 1 ноября.
Основатель и первый директор Института физики полупроводников
академик А.Ржанов принадлежит к славной когорте основателей
Сибирского отделения — ученых, приехавших в Сибирь в конце
50-х — начале 60-х годов. К этому времени за плечами А.Ржанова было
участие в боевых действиях на фронтах Великой Отечественной под
Ленинградом, отмеченное тяжелыми ранениями и боевыми наградами,
аспирантура и защита кандидатской диссертации в знаменитом
Физическом институте, успешная работа над созданием первого в
стране полупроводникового транзистора по поручению С.Вавилова —
директора ФИАН и Президента АН СССР.
Выступивший на церемонии председатель СО РАН академик Н.Добрецов
особо отметил заслуги Анатолия Васильевича в создании научной
школы по физике полупроводников, принесшей признание институту и
нашедшей воплощение в многочисленных научных разработках. За
время работы на посту заместителя председателя Отделения
А.Ржанову удалось добиться заметного улучшения во взаимодействии
науки с предприятиями электронной промышленности и
приборостроительного комплекса страны и Сибирского региона. Жизнь
А.Ржанова явилась ярким примером служения науке, обществу и
Родине.
Ближайшие сотрудники А.Ржанова — член-корреспондент РАН
И.Неизвестный и профессор Л.Смирнов охарактеризовали историю
научного роста А.Ржанова как поистине героическую, когда после
тяжелых ранений он нашел в себе силы самоотверженным научным
трудом занять передовые позиции в науке. Огромная работа по
исследованию поверхности полупроводников и границ раздела
полупроводника с металлами, диэлектриками, вакуумом, газовыми
средами, исследованию тонких пленок и гетероструктур, проведенная
под руководством А.Ржанова, явилась залогом прошлых, сегодняшних
и, будем надеяться, будущих успехов Института физики
полупроводников. Для многих более молодых сотрудников работа под
руководством А.Ржанова явилась прекрасной научной и жизненной
школой. Памяти А.Ржанова посвящен выпуск журнала "Физика и
техника полупроводников" (т. 35, N 9, 2001), включающий статьи
его коллег и учеников.
Директор Института физики полупроводников член-корреспондент РАН
А.Асеев в своем выступлении отметил заслуги А.Ржанова в создании
в Сибирском регионе крупного центра по физике полупроводников и
полупроводниковой электронике, каким фактически является ИФП
вместе с институтами Прикладной микроэлектроники и Сенсорной
электроники, входящими в состав Объединенного института физики
полупроводников. Продуманная система инженерного и
технологического обеспечения научных работ, наличие целого ряда
уникальных методов позволяет сотрудникам института на равных
участвовать в российском и международном разделении труда в бурно
развивающейся современной физике полупроводников и
полупроводниковой технологии. Институт занимает передовые позиции
в создании матричных фотоприемных устройств нового поколений,
приборов ночного видения, технологии молекулярно-лучевой
эпитаксии, в исследовании квантовых эффектов и разработке
устройств наноэлектроники, технологии кремниевых кристаллов и
структур. Однако жизнь непрерывно ставит все новые и более
сложные задачи, решение которых возможно благодаря созданному в
институте под руководством академика А.Ржанова, его ближайших
сотрудников и учеников мощному научно-техническому потенциалу.
Навсегда сохранится благодарная память об Анатолии Васильевиче
Ржанове — Ученом, Учителе и Солдате.
стр.
|
