«Наука в Сибири» № 48 (2833) 8 декабря 2011 г. НОБЕЛЕВСКИЙ ЛАУРЕАТ — СТУДЕНТАМ НГУ Ю. Александрова, «НВС» В конце ноября в нашем городе с двухдневным рабочим визитом побывал лауреат Нобелевской премии, кандидат в депутаты Госдумы РФ академик Жорес Иванович Алферов. В программе значилось как посещение Новосибирска, так и Новосибирского научного центра — встречи с руководством Сибирского отделения Российской академии наук, представителями общественности, студенчеством, работа в рамках избирательной кампании. Первый день, двадцать четвертого ноября, Нобелевский лауреат провёл в Академгородке и, помимо прочего, выступил перед студентами Новосибирского государственного университета с лекцией «Полупроводниковая революция в XX веке. Микроэлектроника и фотоника — революция в науке и обществе» (как известно, Нобелевскую премию по физике в 2000 году учёный получил именно за разработку полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов). В выступлении Жорес Иванович не только совершил своего рода экскурс в историю науки, рассказав о начале изучения полупроводников в 20-е годы прошлого века, о деятельности академика А. Ф. Йоффе — основателя советской физической школы — и других исследователей, стоявших у истоков, но и затронул проблемы дня сегодняшнего, а также перспективы развития науки. «Полупроводниковая революция, которая произошла в XX веке, внесла огромные изменения в нашу жизнь, — подчеркнул он, — и мы до сих пор ощущаем её положительное и отрицательное влияние. Она привела к изменениям и в науке и технологии, и в социальной сфере. Не зря говорят, что полупроводниковая революция явилась основой того, что мы называем современными информационными технологиями». Действительно, без многих этих открытий стало бы невозможным создание волоконно-оптической связи, которая является в том числе и основой Интернета, полупроводниковых лазеров, которые применяются как в космических технологиях, так и в повседневной жизни, лазеров, работающих при комнатной температуре и т.д. Однако начало было положено почти столетие назад, когда академик Йоффе и его коллеги приступили к изучению структуры полупроводников, а поворотным событием полупроводниковой революции XX века стало открытие транзисторов. Затем, в годы войны, потребовалось разрабатывать системы детектирования СВЧ-колебаний. Вся электроника того времени была вакуумная, но вакуумные диоды не подходили для этой цели, поэтому и стали пользоваться кристаллическими детекторами. В связи с этим постепенно научились получать монокристаллы германия, и развилась технология элементарных полупроводников германия и кремния. Далее, при исследовании поверхностных явлений, было открыто усиление тока, и появился точный биполярный транзистор. А в шестидесятых годах прошлого века появились и полупроводниковые лазеры... В своей лекции академик Ж. И. Алферов рассказал о многом: давно известные факты перемежались с воспоминаниями о встречах с учёными мирового масштаба, научные детали соседствовали с почти лирическими отступлениями. Студенты в заполненной до отказа Большой физической аудитории слушали с явным интересом. Похоже, все были согласны с тезисом известного учёного — «будущее за полупроводниками». стр. 4