«Наука в Сибири» ВЫСОКАЯ ОЦЕНКА СИБИРСКИХ ФИЗИКОВГосударственной премии России за цикл работ "Метод электронного охлаждения пучков тяжелых заряженных частиц" удостоена группа ученых Института ядерной физики СО РАН.
Вот как излагают суть работы сами специалисты. Охлаждение пучков тяжелых заряженных частиц — это уменьшение фазового объема, занимаемого частицами пучка в накопителе, ускорителях и установках с встречными пучками. Охлаждение позволяет значительно повысить плотность частиц в фазовом пространстве, сжать пучок и уменьшить разброс скоростей. Это открывает возможность накопления больших токов путем многократной инжекции все новых частиц в освобождающиеся при охлаждении участки фазового пространства, увеличить яркость пучков, повысить светимость и качество экспериментов с внутренними мишенями. Кроме того, в установках с электронным охлаждением возможны ранее недоступные эксперименты. В частности, в Центре тяжелоионных исследований (GSI Darmstadt, Germany) на установке, созданной в ИЯФе был обнаружен процесс бета-распада полностью ионизованных атомов диспрозия, которые в обычном состоянии стабильны. Такие процессы проходят в звездах, где сильна ионизация, и возможность исследования этих процессов в лаборатории позволяет глубже понять ядерный синтез во вселенной. Среди лауреатов Государственной премии России за цикл работ "Электронные и атомные процессы на поверхности твердых тел" — доктор физико-математических наук В.Овсюк из Института физики полупроводников СО РАН. За пятьдесят лет, прошедших с момента создания первого транзистора до настоящего времени микроэлектроника прошла гигантский путь. Сейчас активные элементы микросхем имеют нанометровые размеры и пока принципиальных запретов на их дальнейшее уменьшение нет. Столь быстрый прогресс в микроэлектронике обусловлен успехами в исследовании электронных и атомных процессов на поверхности твердых тел. Именно эти процессы определяют свойства микро- и наноэлектронных устройств. Большой вклад в исследования этих свойств внесли российские ученые, в том числе и сотрудники Института физики полупроводников СО РАН. Понимание этих процессов позволило создать в ИФП СО РАН уникальные структуры для микроэлектроники, например одноэлектронные транзисторы, т.е. структуры, в которых электрический ток получается перемещением заряда всего одного электрона; структуры из квантовых точек как основу для наноэлектронных устройств. К результатам этих исследований можно отнести разработанные в Институте физики полупроводников технологии получения устройств микрофотоэлектроники, таких как приборы ночного видения, тепловизионные приемники и многие другие. Уровень исследований поверхности твердого тела таков, что позволил авторам работы, удостоенной Государственной премии РФ исследовать зарядовое состояние отдельного атома примеси на поверхности полупроводника. стр. |