«Наука в Сибири» № 35 (2570) 7 сентября 2006 г. АКАДЕМИК  Ж. АЛФЕРОВ — ПОЧЕТНЫЙ ПРЕДСЕДАТЕЛЬ УЧЕНОГО СОВЕТА ИФП Ученый совет Института физики полупроводников СО РАН на своем заседании 4 сентября 2006 г. единогласно избрал Вице-президента РАН, Нобелевского лауреата академика Ж. Алферова почетным председателем Ученого совета Института. Тем самым научная общественность Института присоединилась к высокой оценке выдающихся заслуг Ж. Алферова в развитии современной физики полупроводников, становлении физики квантоворазмерных наноструктур и наногетероструктурной электроники. Открытие  Ж. Алферовым гетероструктурной пары арсенид галлия-арсенид алюминия с совершенной границей раздела, эффекта суперинжекции носителей заряда в двойной гетероструктуре, исследования электронных свойств полупроводниковых структур с квантовыми ямами, квантовыми проволоками и квантовыми точками открыли путь к созданию полупроводниковых лазеров, светоизлучающих диодов, высокоэффективных солнечных элементов, быстродействующих транзисторов. Труды  Ж. Алферова заложили основу современных информационных технологий и средств телекоммуникаций, которые преобразили облик цивилизации и вошли в наш повседневный быт в виде интернета и мобильной связи. Развитие информационных технологий стало основой экономического могущества развитых стран и многих стремительно развивающихся государств. Академик Ж. Алферов с учеными Сибирского отделения РАН во время Общего собрания РАН, май 2006 г. С Ж. Алферовым и его сотрудниками ученых ИФП связывают многочисленные контакты и совместная работа в рамках программы фундаментальных исследований РАН «Квантовые наноструктуры», программах развития оптоэлектроники, СВЧ-техники и полупроводниковых нанотехнологий. В планах дальнейшей совместной работы — проведение юбилейного 15-го международного симпозиума «Наноструктуры: физика и технология» в 2007 г. в Новосибирске, что явится подарком специалистов в данной области Сибирскому отделению РАН в год его пятидесятилетия. Наш корр. Фото  В. Новикова. стр. 3