«Наука в Сибири» Коллективу Института физики полупроводников СО РАН
Дорогие коллеги!Президиум Сибирского отделения искренне поздравляет вас с сорокалетием института. Ваш институт, образованный в результате объединения двух институтов — Института радиофизики и электроники СО АН СССР и Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР, вобрал в себя и развил все лучшее, что было задумано основателями этих институтов, выдающимися учеными — академиком А. Ржановым и профессором Ю. Румером. За время своего существования ваш институт стал одним из ведущих в России и в мире в области фундаментальных и прикладных исследований физики полупроводников, микро-, нано-, акусто- и оптоэлектроники. Ученые Института физики полупроводников одними из первых в мире начали исследования структур пониженной размерности и добились выдающихся результатов в понимании атомных процессов и электронных явлений на поверхности полупроводников и границах раздела в гетероструктурах, сверхрешетках, в квантовых проволоках и точках. В стенах вашего института получено много выдающихся результатов. В частности, установлен ряд новых закономерностей в поведении полупроводниковой плазмы в низкоразмерных структурах, разработаны матричные фотоприемники инфракрасного диапазона, созданы электронно-оптические преобразователи, СВЧ- и нанотранзисторы, квантовые интерферометры и лазеры с вертикальным резонатором на основе квантовых ям. Эти результаты получены благодаря развитым в ИФП СО РАН уникальным технологиям создания полупроводниковых наноструктур с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии. Установки МЛЭ, созданные в институте, работают в России, а также во многих странах ближнего и дальнего зарубежья. Современная мощная аналитическая база вашего института используется в интересах многих институтов СО РАН благодаря Центру коллективного пользования «Поверхность», созданному на этой базе. Ваш институт является базовым для кафедр НГУ и НГТУ. В институте трудятся 5 членов-корреспондентов РАН, 33 доктора и 146 кандидатов наук. Работы сотрудников института отмечены двумя Государственными премиями СССР, двумя Государственными премиями Российской Федерации, Премиями Совета Министров СССР и Ленинского комсомола. Многие сотрудники награждены за свой труд орденами и медалями. Дорогие друзья! Примите наши пожелания творческой активности и успехов, новых достижений. Здоровья и благополучия вам и вашим близким! Президиум СО РАН. стр. 2 |