«Наука в Сибири» № 42 (2528) 4 ноября 2005 г. ПРАЗДНИК НАУКИ Подлинным праздником науки явились дни октябрьских заседаний Совета по защите докторских диссертаций при Институте физики полупроводников. А. Асеев, председатель диссертационного Совета, член-корр. РАН Диссертации, представленные заведующим лабораторией Виктором Принцем и ведущим научным сотрудником Матвеем Энтиным, оценены как работы высшей научной пробы. Высокое мнение официальных оппонентов совпало с многочисленными отзывами на авторефераты, а также подтвердилось выступившими на защите представителями научной общественности и, наконец, результатами тайного голосования членов Совета. В работе В. Принца защищался принципиально новый метод формирования полупроводниковых наноструктур сложной геометрии, в основе которого лежит освобождение напряженной полупроводниковой пленки с помощью селективного травления жертвенного слоя в эпитаксиальной гетероструктуре, предварительно приготовленной методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Данный метод относится к разновидности методов молекулярной сборки и открывает перспективы изготовления отдельных наноструктур сложной формы и их массивов с предельно высокой точностью (до значения, равного толщине отдельного монослоя). С помощью предложенной технологии изготовлены нанотрубки для изучения свойств двумерного электронного газа на цилиндрических поверхностях, трубки со стенками нанометровой толщины для высокочувствительных микротермоанемометров, микро- и нанозонды для применений в электронике, биологии, медицине и других практически важных областях. Оригинальность и высокая степень проработанности метода получили признание мировой научной общественности, что выразилось в принятом в литературе названии данной технологии по фамилии автора: «Принц-технология». М. Энтин представил в диссертации теорию фотоэлектрических явлений в средах без центра симметрии. Фактически речь идет о новом, по сравнению с классическими внутренним и внешним фотоэффектах, фотогальваническом эффекте, в котором фототок возникает под действием однородного освещения в отсутствии тянущих полей. Автором подробно рассмотрены механизмы возникновения фототоков в объемных конденсированных средах, в системах пониженной размерности (инверсионные приповерхностные каналы, вицинальные грани полупроводников), а также в квантовых структурах различного типа (квантовые храповики, квантовые насосы, искривленные квантовые проволоки и др.). Выступавшие отмечали высокий профессионализм М. Энтина в области теории квантовых эффектов в полупроводниковых структурах пониженной размерности. В частности, в одной из совместных со своими коллегами работ по адиабатическому транспорту носителей заряда в двумерной системе был предсказан эффект подавления дрейфовой проводимости двумерной системы при конечной величине холловской проводимости. За экспериментальное обнаружение этого явления, получившего название квантового эффекта Холла, немецкий исследователь К. фон Клитцинг в 1985 г. получил Нобелевскую премию. Обе защиты прошли при переполненном зале, в духе оживленной и плодотворной научной дискуссии и явились настоящим праздником науки для всех присутствующих. Наши искренние поздравления диссертантам и коллективам, в которых выполнены столь замечательные работы! стр. 4