Новости
26.04.2018
В ИАиЭ СО РАН разработаны волоконные лазеры нового типа
Избранный директор Института автоматики и электрометрии СО РАН чл.-корр. РАН С.А. Бабин в апреле выступил с двумя приглашёнными докладами на международных лазерных конференциях в Китае и США, в которых он рассказал о разработанных в рамках проекта РНФ новых схемах волоконных лазеров, работающих на эффекте вынужденного комбинационного рассеяния (ВКР).
В частности, в ИАиЭ СО РАН впервые в мире реализована полностью волоконная схема ВКР-лазера с прямой диодной накачкой, позволяющая эффективно преобразовать многомодовое излучение лазерных диодов в лазерный пучок высокого качества практически с любой длиной волны генерации.