Новости

Сотрудники Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова д.ф.-м.н. Артур Погосов и к.ф.м-.н. Андрей Шевырин. Фото Надежды Дмитриевой
04.03.2020
Ученые ИФП СО РАН впервые в мире обнаружили необычное влияние света на наномеханические резонаторы

Ученые Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН и Новосибирского государственного университета работали с наномеханическим резонатором, который представлял собой очень тонкую (сотни нанометров) колеблющуюся «подвешенную» полупроводниковую мембрану. При воздействии на нее светом выяснилось, что добротность — одна из основных характеристик резонатора — изменилась и не вернулась к прежнему состоянию после «выключения» света.
Нанорезонаторы могут использоваться как сенсоры для распознавания крайне малых количеств вещества. Добротность — одна из самых значимых характеристик резонатора: чем она выше, тем лучше задана резонансная частота устройства, а значит тем точнее можно измерить с его помощью нужные физические величины.