Неизвестный Игорь Георгиевич

Неизвестный Игорь Георгиевич
Звание: 
член-корреспондент РАН, профессор
Степень: 
доктор физико-математических наук
Научно-административная деятельность и образование

В 1956 г. закончил Электромеханический факультет Московского энергетического института, затем занимался научной деятельностью в Физическом институте АН СССР. В 1966 г. защитил кандидатскую диссертацию «Исследование природы центров рекомбинации носителей заряда на поверхности германия», в 1980 г. защитил докторскую диссертацию «Исследование границы раздела германий – диэлектрик». В 1983 г. ему было присвоено звание профессора. В 1990 г. избран членом-корреспондентом АН СССР по Отделению информатики, вычислительной техники и автоматизации АН СССР (специальность «Элементная база»). В 1962 г. И.Г. Неизвестный назначен заместителем директора по научной работе Института физики твёрдого тела и полупроводниковой электронике СО АН СССР (с 1964 г. Институт физики полупроводников – ИФП СО АН СССР, затем РАН). С 1962 г. по 1973 г. и с 1980 г. по 2004 г. он - заместитель директора по научной работе ИФП СО РАН, с 1973 г. по 1980 г. – заведующий Лабораторией «Физика и технология германиевых МДП-структур» ИФП СО АН СССР. С 2004 года  советник РАН и заведующий Отделом «Тонкоплёночные структуры для микро и фотоэлектроники» ИФП СО РАН.

Член-корреспондент c 15.12.1990 - Отделение информатики, вычислительной техники и автоматизации (элементная база)

Направления деятельности: Физики полупроводников. Физические основы полупроводниковой микроэлектроники.

И.Г. Неизвестный – специалист в области физики полупроводников и физических основ полупроводниковых приборов.

Сфера научной деятельности И.Г. Неизвестного: взаимодействие излучения с полупроводниковыми гетероструктурами, компьютерное моделирование формирования тонких поверхностных слоёв, квантовая криптография, поверхностно-барьерные биосенсоры.

И.Г. Неизвестный - член Научного совета РАН по физике полупроводников, Объединенного совета по физико-техническим наукам СО РАН, заместитель главного редактора журнала «Микроэлектроника», член редакционных коллегий журналов «Поверхность. Рентгеновские,синхротронные и нейтронные исследования», «Physics of low dimensional structures», «Sensor electronics and microsystem technologies», Украинского физического журнала.

Почётный профессор Одесского Национального Университета им. И.И. Мечникова. Член-учредитель Азиатско-Тихоокеанской Академии Материаловедения. Заведующий филиалом Кафедры полупроводниковых приборов и микроэлектроники Новосибирского государственного технического университета. Им подготовлено 8 докторов и 12 кандидатов наук. Автор и соавтор 170 научных работ, из них 5 монографий.

Награды: 

Лауреат Государственной премии РФ по науке и технике, награждён орденом Трудового Красного Знамени.

Адрес на портале РАН: