Академик Асеев Александр Леонидович

Академик Асеев Александр Леонидович
24.09.1946 , Улан-Удэ

Избран действительным членом (академиком) РАН в 2006 г. (член-корреспондент РАН с 2000 г.).
С 2008 г. вице-президент Российской академии наук, председатель Сибирского Отделения РАН.
С 2014 г. иностранный член Национальной академии наук Беларуси.
С 1998 по 2013 год – директор Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН.

Специалист по атомной структуре, электронным свойствам и диагностике полупроводниковых систем пониженной размерности.

Под руководством Александра Леонидовича в ИФП СО РАН создан научно-технологический комплекс для получения и исследования полупроводниковых микро- и наноструктур. В структурах с двумерным электронным газом исследованы резонансные явления при квантовом транспорте носителей заряда. Выполнены пионерские работы по изучению свойств моноатомных ступеней на поверхности кремния и исследованию атомных механизмов процессов кластеризации собственных точечных дефектов в кремнии и германии.

А.Л. Асеевым совместно с коллегами разработана технология молекулярно-лучевой эпитаксии для получения фоточувствительных слоев кадмий-ртуть-теллур и полупроводниковых структур с квантовыми ямами для нового поколения инфракрасных фотоприемных устройств.

Александр Леонидович ведет работы по созданию нанотранзисторов; по разработке новых типов элементов памяти, элементов силовой электроники и солнечной энергетики на кремнии.

Асеев Александр Леонидович на портале РАН