Новости

Максим Якушев показывает полупроводниковые гетероструктуры на основе соединений кадмий-ртуть-теллур, матрицы фоточувствительных элементов, фотоприемники
03.09.2019
ИФП СО РАН продемонстрировал ключевое оборудование для будущего Центра нанотехнологий

В Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН состоялся пресс-тур в рамках предстоящего форума Технопром-2019. ИФП СО РАН продемонстрировал ключевое оборудование для будущего Центра нанотехнологий.
Заместитель директора по научной работе, д.ф.-м.н. Максим Якушев: «Выращивание ранее не существовавших материалов происходит с помощью метода молекулярно-лучевой эпитаксии. В условиях сверхвысокого вакуума на подложку из кремния или арсенида галлия подаются пары другого вещества (в нашей лаборатории это кадмий-ртуть-теллур), далее полупроводниковый объект растет, наследуя кристаллическую структуру подложки. Оборудование, разработанное в нашем Институте, позволяет манипулировать составом и физическими свойствами создаваемых слоев с нанометровой точностью.<> Все процессы контролируются с точностью до атомного слоя (это доли нанометров) с помощью эллипсометрии, оптических методов и дифракции электронов». 
В Центре нанотехнологий новые полупроводниковые структуры будут создаваться на подложках 100—150 мм, что почти в два раза больше, чем производилось ранее в ИФП СО РАН. Эта продукция востребована при изготовлении микроэлектронных, оптоэлектронных, микропроцессорных устройств. А также в области космических исследований: в частности, для создания легких и гибких солнечных батарей.

 

Ошибка | Сибирское отделение Российской академии наук (СО РАН)

Ошибка

На сайте произошла непредвиденная ошибка. Пожалуйста, повторите попытку позже.