Категория 3. Микроэлектроника

Разработки институтов СО РАН, предлагаемые к использованию, в том числе в рамках реализации импортонезависимости

Контакты для обращения за дополнительной информацией:
Аникин Юрий Александрович, зам. главного ученого секретаря СО РАН, 8 (383) 238-36-52, anikin@sb-ras.ru

Институт Разработка Назначение разработки, решаемые задачи
ИСЭ СО РАН   Газоразрядные, эксимерные, СО2, НF лазеры c параметрами излучения: энергия (0.1-10) Дж, длительность (0.1 – 300) нс. Лазерные системы на их основе, имеющие на выходе мощное высококогерентное излучение. Твердотельные лазеры на кристаллах: Nd: YAG, Alexandrite, а также генерация их гармоник в УФ-диапазоне спектра Разработка нового импортозамещающего оборудования для медицины, микроэлектроники, научных исследований.
ИФ ФИЦ КНЦ СО РАН   Координатограф (оборудование) Формирование топологий на поверхности планарных структур с точностью до 50 мкм. Применяется для быстрого прототипирования устройств СВЧ электроники, в том числе печатных плат.
ИФ ФИЦ КНЦ СО РАН   Оборудование: Автоматизированная установка для измерения термоэлектрических свойств в нанопленках Измерение электропроводности, коэффициента термоЭдс, коэффициента теплопроводности в массивных образцах и тонких пленках. Температурный диапазон от комнатной температуры до 300 градус Цельсия.
ИФ ФИЦ КНЦ СО РАН   Оборудование: Центрифуга для нанесения тонких пленок и фоторезиста Необходима для нанесения фоторезиста
ИФ ФИЦ КНЦ СО РАН   Технология синтеза прозрачных проводящих оксидов на основе In2O3:Sn (ITO) и ZnO:Al Необходима для создания прозрачных электродов
ИФ ФИЦ КНЦ СО РАН   Технология синтеза прозрачных проводящих покрытий на основе микросеток из металлов Необходима для создания прозрачных электродов
ИФ ФИЦ КНЦ СО РАН   Оборудование: Установка экспонирования (источник света – УФ светодиоды) Установка необходима для проведения процесса фотолитографии.
ИФП СО РАН   Матричный охлаждаемый фотоприемный модуля с интегрированной микрокриогенной системой Стирлинга с высокой чувствительностью в среднем ИК диапазоне Обеспечение импортозамещение тепловизионных каналов в образцах ВВСТ на основе отечественной фотоэлектронной компонентной базы, а также повышение тактико-технических характеристик ТПВК при их дальнейшей модернизации
ИФП СО РАН   Фотоприемник матричный для спектрального диапазона 3-5 мкм Предназначен для регистрации инфракрасного излучения в составе фотоприемного устройства специального и общего назначения. Импортозамещение
ИФП СО РАН   Фотоприемник матричный для спектрального диапазона 8-10 мкм Предназначен для регистрации инфракрасного излучения в составе фотоприемного устройства специального и общего назначения. Импортозамещение
ИФП СО РАН   Фотоприемник линейчатый для спектрального диапазона 3-5 мкм Предназначен для регистрации инфракрасного излучения в составе фотоприемного устройства специального и общего назначения. Импортозамещение
ИФП СО РАН   Фотоприемник линейчатый для спектрального диапазона 8-10 мкм Предназначен для регистрации инфракрасного излучения в составе фотоприемного устройства специального и общего назначения. Импортозамещение
ИФП СО РАН   Крупноформатные ИК фотоприемники Предназначен для регистрации инфракрасного излучения в составе фотоприемного устройства специального и общего назначения. Импортозамещение.
ИФП СО РАН   Модуль унифицированный электронной обработки сигнала МЭО3М Унифицированный модуль предназначен для использования в составе тепловизионных камер (тепловизионных каналов) для задания режимов работы фотоприемных устройств, формирования тепловизионного изображения, выдачи информационного кадра в аналоговом и цифровом виде и обмена служебной информацией с системами (объектами применения).
ИФП СО РАН   Источник холодной плазменной струи с широким диапазоном параметров для биомедицинского применения, медицинская методика Предназначен для малоинвазивного плазменного воздействия на биологические объекты, в том числе, с терапевтически эффектом
ИФП СО РАН   Биохимические сенсоры на основе кремниевых полевых транзисторов Предназначенные для высокочувствительной детекции вирусов, белков, РНК, ДНК – маркеров социально-значимых заболеваний
ИФП СО РАН   Структуры гетероэпитаксиальные теллурида кадмия-ртути, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии Предназначенные для изготовления фоточувствительных элементов (ФЧЭ) фотоприемников специального и общего назначения
ИФП СО РАН   Наногетероэпитаксиальные структуры кадмий-ртуть-теллур Предназначенные для изготовления фоточувствительных элементов (ФЧЭ) фотоприемников специального и общего назначения
ИФП СО РАН   Структуры гетероэпитаксиальные теллурида кадмия-ртути электронного типа проводимости, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии Предназначенные для изготовления фоточувствительных элементов (ФЧЭ) фотоприемников специального и общего назначения
ИФП СО РАН   Структуры гетероэпитаксиальные теллурида кадмия-ртути дырочного типа проводимости, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии Предназначенные для изготовления фоточувствительных элементов (ФЧЭ) фотоприемников специального и общего назначения
ИФП СО РАН   Пластины кремний-на-изоляторе (КНИ) диаметром 100 и 150 мм Предназначенные для изготовления сверх надежной электроники и оптоэлектроники
ИФП СО РАН   Пластины кремний-на-изоляторе (КНИ) диаметром 100 и 150 мм Предназначенные для изготовления сверх надежной электроники, СВЧ электроники и и оптоэлектроники
ИФП СО РАН   Однофотонные лавинные фотодиоды на 1550 нм Предназначенные для систем квантовой криптографии ВОЛС
ИФП СО РАН   Матричные неохлаждаемые болометрические ИК фотоприемники повышенного разрешения Предназначен для регистрации инфракрасного излучения в составе фотоприемного устройства специального и общего назначения. Импортозамещение
ИФП СО РАН   Структуры на основе соединений ванадия с увеличенным температурным коэффициентом сопротивления, выращенные ионным распылением Предназначенные для изготовления фоточувствительных элементов (ФЧЭ) фотоприемников специального и общего назначения
ИФП СО РАН   Кремниевый модулятор с планарным входом-выходом для частот менее 10ГГц Предназначенные для изготовления элементов радиофотоники интегрированных в кремниевые опто-электронные устройства
ИФП СО РАН   Высокопоглощающие структуры на основе углеродных нанотрубок Предназначенные для изготовления фоточувствительных элементов (ФЧЭ) фотоприемников специального и общего назначения
ИФП СО РАН   Эллипсометры (ex-situ и in-situ конструктивы) Предназначены для измерений толщин тонких пленок и контроля оптических постоянных и структурных свойств широкого класса материалов: полупроводников, диэлектриков и металлов.
ИФП СО РАН   Частотно функционирующее газоразрядное коммутационное устройство нано/субнаносекундного диапазона Предназначен для генерации высоковольтных импульсов наносекундного диапазона с частотой следования импульсов до 100 кГц для применения в устройствах силовой электроники
ИФП СО РАН   Широкополосный источник излучения видимого диапазона на основе AlGaN структур Предназначен для использования в качестве широкополосного источника некогерентного излучения (вплоть до «белого» света с одного элемента); в качестве источника когерентного излучения с непрерывной перестройкой в видимом диапазоне
ИФП СО РАН   Комплекс для лазерного разделения изотопов; фотоионизационная и фотохимическая технология Предназначен для производства стабильных изотопов различного применения (ядерная энергетика, ядерная медицина, промышленность); для разработки фотоионизационной и фотохимической технологий получения изотопов
ИФП СО РАН   Тепловизионная камера ТПК-З Предназначена для поиска, обнаружения и распознавания наземных и надводных, одиночных и групповых, движущихся и неподвижных объектов, имеющих тепловой контраст на фоне естественной подстилающей поверхности, в условиях оптической видимости в реальном масштабе времени.
ИФП СО РАН   Носимый прибор инженерной разведки тепловизионный ПИРТ Предназначен для наблюдения за полем боя, изучения местности и ведения инженерной разведки наблюдением, круглосуточно, независимо от уровня естественной освещенности, в условиях световых помех и в ограниченных условиях видимости (дымка, туман, дождь, снегопад, пыль, дым)
ИФП СО РАН   Тепловизионный прибор диапазона 8-10 мкм с устройством микросканирования «Виктория 3РД-М» Малогабаритная тепловизионная камера высокого разрешения с микросканированием предназначена для наблюдения и обнаружения целей в любое время суток и сложных метеоусловиях. Импортозамещение французской камеры CATHTRINE-FC. Использование комплектующих и технологий отечественного производства - 90%.
ИФП СО РАН   Мобильный видеотепловизионный комплекс «Ракурс» Предназначен для наблюдения на открытой местности за объектами в видимом и ИК (8-12 мкм) спектральных диапазонах
ИФП СО РАН   Тепловизионный прицел «Надсмотрщик» Предназначен для обеспечения прицельной стрельбы из автоматов, снайперской винтовки и пулемётов в различных, в том числе неблагоприятных, условиях видимости (пониженная освещённость и полная темнота, дымка, туман, задымление), а также в условиях использования противником естественных и искусственных маскировочных средств.
ИФП СО РАН   Телевизионный прицел с разнесёно-совмещёнными каналами визирования и прицеливания «Носилщик-БМ» для индивидуального стрелкового оружия Предназначен для наблюдения и обеспечения эффективной прицельной стрельбы из автоматов АК, АКМ, АС и снайперской винтовки ВСС на ближних дистанциях, в том числе при ведении огня сходу, от бедра, из-за укрытия в широком диапазоне освещенности (день, ночь)
ИФП СО РАН   Активно-импульсная телевизионная камера Камера предназначена для обнаружения оптических приборов и наблюдения в сложных условиях
ИФП СО РАН   Комплекс научной аппаратуры молекулярно-лучевой эпитаксии для космического эксперимента «Экран-М». Предназначен для роста эпитаксиальных структур на основе GaAs. Импортозамещение
ИФП СО РАН   Установки молекулярно-лучевой эпитаксии «Катунь» для синтеза полупроводниковых гетероструктур. Предназначен для роста эпитаксиальных структур на основе GaAs, Ge, Si и др. Импортозамещение
ИФП СО РАН   Дифрактометр быстрых электронов для установок молекулярно-лучевой эпитаксии. Дифрактометр быстрых электронов (ДБЭ) служит для неразрушающего контроля растущего эпитаксиального слоя для анализа кристаллического и морфологического состояния поверхности в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии.
ИФП СО РАН   Дифрактометр быстрых электронов для установок молекулярно-лучевой эпитаксии. Дифрактометр быстрых электронов (ДБЭ) служит для неразрушающего контроля растущего эпитаксиального слоя для анализа кристаллического и морфологического состояния поверхности в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии.
ИФП СО РАН   Оптические элементы ТГц-фотоники Квазиоптические фильтры, поляризаторы, преобразователи поляризации, резонансные поглотители, резонансные сенсоры для эффективного управления характеристиками пучков электромагнитного излучения в области частот от сотни ГГц до нескольких ТГц
ИФП СО РАН   Управляемые жидкостные линзы Предназначены для создания объективов и растровой оптики электронно-оптических систем с возможностью автофокусировки, стабилизации изображения и смены увеличения, неограниченной глубиной резко отображаемого пространства, управления диафрагмой и направлением излучения лазерных осветителей.
ИФП СО РАН   Структуры гетероэпитаксиальные соединений галлия-алюминия-мышьяка Предназначенные для изготовления СВЧ транзисторов типа FET и HFET специального и общего назначения
ИФП СО РАН   Структуры гетероэпитаксиальные соединений галлия-индия-алюминия-мышьяка Предназначенные для изготовления СВЧ транзисторов типа FET и pHEMT и pin-диодов специального и общего назначения
ИФП СО РАН   Структуры гетероэпитаксиальные соединений галлия-алюминия-мышьяка Предназначенные для изготовления СВЧ транзисторов типа FET и HFET специального и общего назначения
ИФП СО РАН   Структуры гетероэпитаксиальные соединений галлия-индия-алюминия-мышьяка Предназначенные для изготовления СВЧ транзисторов типа FET и HFET специального и общего назначения
ИФП СО РАН   Структуры гетероэпитаксиальные соединений галлия-алюминия-мышьяка Предназначенные для изготовления СВЧ транзисторов типа FET и HFET специального и общего назначения
ИФП СО РАН   Структуры гетероэпитаксиальные соединений галлия-алюминия-мышьяка Предназначенные для изготовления СВЧ транзисторов типа FET и pHEMT специального и общего назначения
ИФП СО РАН   Структуры гетероэпитаксиальные многослойные твердых растворов нитрида галлия - нитрида алюминия Предназначенные для изготовления УФ фотоприемников специального и общего назначения
ИФП СО РАН   Структуры гетероэпитаксиальные соединений галлия-индия-алюминия-мышьяка, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии для интегрально-оптического модулятора Предназначенные для изготовления сверхвысокочастотных электро-оптических модуляторов телекоммуникационного диапазона специального и общего назначения
ИФП СО РАН   Чипы фотодиодов и структуры гетероэпитаксиальные соединений галлия-индия-алюминия-мышьяка, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии Предназначенные для изготовления сверхвысокочастотных мощных фотодиодов телекоммуникационного диапазона специального и общего назначения
ИФП СО РАН   Cтруктуры гетероэпитаксиальные соединений галлия-индия-алюминия-мышьяка, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии Предназначены для изготовления мощных полупроводниковых инфракрасных излучателей в корпусе для поверхностного монтажа
ИФП СО РАН   Чипы лазеров и структуры гетероэпитаксиальные соединений галлия- алюминия-мышьяка, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии Предназначены для изготовления вертикально-излучающих лазеров инфракрасного диапазона
ИФП СО РАН   Структуры гетероэпитаксиальные AlGaN/GaN на подложках SiC Предназначенные для изготовления СВЧ транзисторов типа HEMT
ИФП СО РАН   Структуры гетероэпитаксиальные AlN/GaN на подложках SiC Предназначенные для изготовления СВЧ транзисторов типа HEMT
ИФП СО РАН   Структуры гетероэпитаксиальные AlGaN/GaN на подложках Si Предназначенные для изготовления СВЧ транзисторов типа HEMT
ИФП СО РАН   Структуры гетероэпитаксиальные InAlSb/InSb Предназначенные для изготовления ИК фотоприемников nBn типа специального и общего назначения
ИФП СО РАН   Структуры гетероэпитаксиальные InAlSb/InAs Предназначенные для изготовления СВЧ транзисторов типа HEMT
ФИЦ КНЦ СО РАН   Разработка пассивных компонентов антенно-фидерного тракта систем радиоэлектроники Разработка конструкции устройств миллиметрового диапазона длин волн
ФИЦ КНЦ СО РАН   Разработка, подготовка и серийное производство высокочастотных компонентов Разработка тонкопленочных элементов электронной компонентной базы