Разработки институтов СО РАН, предлагаемые к использованию, в том числе в рамках реализации импортонезависимости
Контакты для обращения за дополнительной информацией:
Аникин Юрий Александрович, зам. главного ученого секретаря СО РАН, 8 (383) 238-36-52, anikin@sb-ras.ru
Институт | Разработка | Назначение разработки, решаемые задачи |
ИСЭ СО РАН | Газоразрядные, эксимерные, СО2, НF лазеры c параметрами излучения: энергия (0.1-10) Дж, длительность (0.1 – 300) нс. Лазерные системы на их основе, имеющие на выходе мощное высококогерентное излучение. Твердотельные лазеры на кристаллах: Nd: YAG, Alexandrite, а также генерация их гармоник в УФ-диапазоне спектра | Разработка нового импортозамещающего оборудования для медицины, микроэлектроники, научных исследований. |
ИФ ФИЦ КНЦ СО РАН | Координатограф (оборудование) | Формирование топологий на поверхности планарных структур с точностью до 50 мкм. Применяется для быстрого прототипирования устройств СВЧ электроники, в том числе печатных плат. |
ИФ ФИЦ КНЦ СО РАН | Оборудование: Автоматизированная установка для измерения термоэлектрических свойств в нанопленках | Измерение электропроводности, коэффициента термоЭдс, коэффициента теплопроводности в массивных образцах и тонких пленках. Температурный диапазон от комнатной температуры до 300 градус Цельсия. |
ИФ ФИЦ КНЦ СО РАН | Оборудование: Центрифуга для нанесения тонких пленок и фоторезиста | Необходима для нанесения фоторезиста |
ИФ ФИЦ КНЦ СО РАН | Технология синтеза прозрачных проводящих оксидов на основе In2O3:Sn (ITO) и ZnO:Al | Необходима для создания прозрачных электродов |
ИФ ФИЦ КНЦ СО РАН | Технология синтеза прозрачных проводящих покрытий на основе микросеток из металлов | Необходима для создания прозрачных электродов |
ИФ ФИЦ КНЦ СО РАН | Оборудование: Установка экспонирования (источник света – УФ светодиоды) | Установка необходима для проведения процесса фотолитографии. |
ИФП СО РАН | Матричный охлаждаемый фотоприемный модуля с интегрированной микрокриогенной системой Стирлинга с высокой чувствительностью в среднем ИК диапазоне | Обеспечение импортозамещение тепловизионных каналов в образцах ВВСТ на основе отечественной фотоэлектронной компонентной базы, а также повышение тактико-технических характеристик ТПВК при их дальнейшей модернизации |
ИФП СО РАН | Фотоприемник матричный для спектрального диапазона 3-5 мкм | Предназначен для регистрации инфракрасного излучения в составе фотоприемного устройства специального и общего назначения. Импортозамещение |
ИФП СО РАН | Фотоприемник матричный для спектрального диапазона 8-10 мкм | Предназначен для регистрации инфракрасного излучения в составе фотоприемного устройства специального и общего назначения. Импортозамещение |
ИФП СО РАН | Фотоприемник линейчатый для спектрального диапазона 3-5 мкм | Предназначен для регистрации инфракрасного излучения в составе фотоприемного устройства специального и общего назначения. Импортозамещение |
ИФП СО РАН | Фотоприемник линейчатый для спектрального диапазона 8-10 мкм | Предназначен для регистрации инфракрасного излучения в составе фотоприемного устройства специального и общего назначения. Импортозамещение |
ИФП СО РАН | Крупноформатные ИК фотоприемники | Предназначен для регистрации инфракрасного излучения в составе фотоприемного устройства специального и общего назначения. Импортозамещение. |
ИФП СО РАН | Модуль унифицированный электронной обработки сигнала МЭО3М | Унифицированный модуль предназначен для использования в составе тепловизионных камер (тепловизионных каналов) для задания режимов работы фотоприемных устройств, формирования тепловизионного изображения, выдачи информационного кадра в аналоговом и цифровом виде и обмена служебной информацией с системами (объектами применения). |
ИФП СО РАН | Источник холодной плазменной струи с широким диапазоном параметров для биомедицинского применения, медицинская методика | Предназначен для малоинвазивного плазменного воздействия на биологические объекты, в том числе, с терапевтически эффектом |
ИФП СО РАН | Биохимические сенсоры на основе кремниевых полевых транзисторов | Предназначенные для высокочувствительной детекции вирусов, белков, РНК, ДНК – маркеров социально-значимых заболеваний |
ИФП СО РАН | Структуры гетероэпитаксиальные теллурида кадмия-ртути, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии | Предназначенные для изготовления фоточувствительных элементов (ФЧЭ) фотоприемников специального и общего назначения |
ИФП СО РАН | Наногетероэпитаксиальные структуры кадмий-ртуть-теллур | Предназначенные для изготовления фоточувствительных элементов (ФЧЭ) фотоприемников специального и общего назначения |
ИФП СО РАН | Структуры гетероэпитаксиальные теллурида кадмия-ртути электронного типа проводимости, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии | Предназначенные для изготовления фоточувствительных элементов (ФЧЭ) фотоприемников специального и общего назначения |
ИФП СО РАН | Структуры гетероэпитаксиальные теллурида кадмия-ртути дырочного типа проводимости, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии | Предназначенные для изготовления фоточувствительных элементов (ФЧЭ) фотоприемников специального и общего назначения |
ИФП СО РАН | Пластины кремний-на-изоляторе (КНИ) диаметром 100 и 150 мм | Предназначенные для изготовления сверх надежной электроники и оптоэлектроники |
ИФП СО РАН | Пластины кремний-на-изоляторе (КНИ) диаметром 100 и 150 мм | Предназначенные для изготовления сверх надежной электроники, СВЧ электроники и и оптоэлектроники |
ИФП СО РАН | Однофотонные лавинные фотодиоды на 1550 нм | Предназначенные для систем квантовой криптографии ВОЛС |
ИФП СО РАН | Матричные неохлаждаемые болометрические ИК фотоприемники повышенного разрешения | Предназначен для регистрации инфракрасного излучения в составе фотоприемного устройства специального и общего назначения. Импортозамещение |
ИФП СО РАН | Структуры на основе соединений ванадия с увеличенным температурным коэффициентом сопротивления, выращенные ионным распылением | Предназначенные для изготовления фоточувствительных элементов (ФЧЭ) фотоприемников специального и общего назначения |
ИФП СО РАН | Кремниевый модулятор с планарным входом-выходом для частот менее 10ГГц | Предназначенные для изготовления элементов радиофотоники интегрированных в кремниевые опто-электронные устройства |
ИФП СО РАН | Высокопоглощающие структуры на основе углеродных нанотрубок | Предназначенные для изготовления фоточувствительных элементов (ФЧЭ) фотоприемников специального и общего назначения |
ИФП СО РАН | Эллипсометры (ex-situ и in-situ конструктивы) | Предназначены для измерений толщин тонких пленок и контроля оптических постоянных и структурных свойств широкого класса материалов: полупроводников, диэлектриков и металлов. |
ИФП СО РАН | Частотно функционирующее газоразрядное коммутационное устройство нано/субнаносекундного диапазона | Предназначен для генерации высоковольтных импульсов наносекундного диапазона с частотой следования импульсов до 100 кГц для применения в устройствах силовой электроники |
ИФП СО РАН | Широкополосный источник излучения видимого диапазона на основе AlGaN структур | Предназначен для использования в качестве широкополосного источника некогерентного излучения (вплоть до «белого» света с одного элемента); в качестве источника когерентного излучения с непрерывной перестройкой в видимом диапазоне |
ИФП СО РАН | Комплекс для лазерного разделения изотопов; фотоионизационная и фотохимическая технология | Предназначен для производства стабильных изотопов различного применения (ядерная энергетика, ядерная медицина, промышленность); для разработки фотоионизационной и фотохимической технологий получения изотопов |
ИФП СО РАН | Тепловизионная камера ТПК-З | Предназначена для поиска, обнаружения и распознавания наземных и надводных, одиночных и групповых, движущихся и неподвижных объектов, имеющих тепловой контраст на фоне естественной подстилающей поверхности, в условиях оптической видимости в реальном масштабе времени. |
ИФП СО РАН | Носимый прибор инженерной разведки тепловизионный ПИРТ | Предназначен для наблюдения за полем боя, изучения местности и ведения инженерной разведки наблюдением, круглосуточно, независимо от уровня естественной освещенности, в условиях световых помех и в ограниченных условиях видимости (дымка, туман, дождь, снегопад, пыль, дым) |
ИФП СО РАН | Тепловизионный прибор диапазона 8-10 мкм с устройством микросканирования «Виктория 3РД-М» | Малогабаритная тепловизионная камера высокого разрешения с микросканированием предназначена для наблюдения и обнаружения целей в любое время суток и сложных метеоусловиях. Импортозамещение французской камеры CATHTRINE-FC. Использование комплектующих и технологий отечественного производства - 90%. |
ИФП СО РАН | Мобильный видеотепловизионный комплекс «Ракурс» | Предназначен для наблюдения на открытой местности за объектами в видимом и ИК (8-12 мкм) спектральных диапазонах |
ИФП СО РАН | Тепловизионный прицел «Надсмотрщик» | Предназначен для обеспечения прицельной стрельбы из автоматов, снайперской винтовки и пулемётов в различных, в том числе неблагоприятных, условиях видимости (пониженная освещённость и полная темнота, дымка, туман, задымление), а также в условиях использования противником естественных и искусственных маскировочных средств. |
ИФП СО РАН | Телевизионный прицел с разнесёно-совмещёнными каналами визирования и прицеливания «Носилщик-БМ» для индивидуального стрелкового оружия | Предназначен для наблюдения и обеспечения эффективной прицельной стрельбы из автоматов АК, АКМ, АС и снайперской винтовки ВСС на ближних дистанциях, в том числе при ведении огня сходу, от бедра, из-за укрытия в широком диапазоне освещенности (день, ночь) |
ИФП СО РАН | Активно-импульсная телевизионная камера | Камера предназначена для обнаружения оптических приборов и наблюдения в сложных условиях |
ИФП СО РАН | Комплекс научной аппаратуры молекулярно-лучевой эпитаксии для космического эксперимента «Экран-М». | Предназначен для роста эпитаксиальных структур на основе GaAs. Импортозамещение |
ИФП СО РАН | Установки молекулярно-лучевой эпитаксии «Катунь» для синтеза полупроводниковых гетероструктур. | Предназначен для роста эпитаксиальных структур на основе GaAs, Ge, Si и др. Импортозамещение |
ИФП СО РАН | Дифрактометр быстрых электронов для установок молекулярно-лучевой эпитаксии. | Дифрактометр быстрых электронов (ДБЭ) служит для неразрушающего контроля растущего эпитаксиального слоя для анализа кристаллического и морфологического состояния поверхности в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. |
ИФП СО РАН | Дифрактометр быстрых электронов для установок молекулярно-лучевой эпитаксии. | Дифрактометр быстрых электронов (ДБЭ) служит для неразрушающего контроля растущего эпитаксиального слоя для анализа кристаллического и морфологического состояния поверхности в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. |
ИФП СО РАН | Оптические элементы ТГц-фотоники | Квазиоптические фильтры, поляризаторы, преобразователи поляризации, резонансные поглотители, резонансные сенсоры для эффективного управления характеристиками пучков электромагнитного излучения в области частот от сотни ГГц до нескольких ТГц |
ИФП СО РАН | Управляемые жидкостные линзы | Предназначены для создания объективов и растровой оптики электронно-оптических систем с возможностью автофокусировки, стабилизации изображения и смены увеличения, неограниченной глубиной резко отображаемого пространства, управления диафрагмой и направлением излучения лазерных осветителей. |
ИФП СО РАН | Структуры гетероэпитаксиальные соединений галлия-алюминия-мышьяка | Предназначенные для изготовления СВЧ транзисторов типа FET и HFET специального и общего назначения |
ИФП СО РАН | Структуры гетероэпитаксиальные соединений галлия-индия-алюминия-мышьяка | Предназначенные для изготовления СВЧ транзисторов типа FET и pHEMT и pin-диодов специального и общего назначения |
ИФП СО РАН | Структуры гетероэпитаксиальные соединений галлия-алюминия-мышьяка | Предназначенные для изготовления СВЧ транзисторов типа FET и HFET специального и общего назначения |
ИФП СО РАН | Структуры гетероэпитаксиальные соединений галлия-индия-алюминия-мышьяка | Предназначенные для изготовления СВЧ транзисторов типа FET и HFET специального и общего назначения |
ИФП СО РАН | Структуры гетероэпитаксиальные соединений галлия-алюминия-мышьяка | Предназначенные для изготовления СВЧ транзисторов типа FET и HFET специального и общего назначения |
ИФП СО РАН | Структуры гетероэпитаксиальные соединений галлия-алюминия-мышьяка | Предназначенные для изготовления СВЧ транзисторов типа FET и pHEMT специального и общего назначения |
ИФП СО РАН | Структуры гетероэпитаксиальные многослойные твердых растворов нитрида галлия - нитрида алюминия | Предназначенные для изготовления УФ фотоприемников специального и общего назначения |
ИФП СО РАН | Структуры гетероэпитаксиальные соединений галлия-индия-алюминия-мышьяка, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии для интегрально-оптического модулятора | Предназначенные для изготовления сверхвысокочастотных электро-оптических модуляторов телекоммуникационного диапазона специального и общего назначения |
ИФП СО РАН | Чипы фотодиодов и структуры гетероэпитаксиальные соединений галлия-индия-алюминия-мышьяка, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии | Предназначенные для изготовления сверхвысокочастотных мощных фотодиодов телекоммуникационного диапазона специального и общего назначения |
ИФП СО РАН | Cтруктуры гетероэпитаксиальные соединений галлия-индия-алюминия-мышьяка, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии | Предназначены для изготовления мощных полупроводниковых инфракрасных излучателей в корпусе для поверхностного монтажа |
ИФП СО РАН | Чипы лазеров и структуры гетероэпитаксиальные соединений галлия- алюминия-мышьяка, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии | Предназначены для изготовления вертикально-излучающих лазеров инфракрасного диапазона |
ИФП СО РАН | Структуры гетероэпитаксиальные AlGaN/GaN на подложках SiC | Предназначенные для изготовления СВЧ транзисторов типа HEMT |
ИФП СО РАН | Структуры гетероэпитаксиальные AlN/GaN на подложках SiC | Предназначенные для изготовления СВЧ транзисторов типа HEMT |
ИФП СО РАН | Структуры гетероэпитаксиальные AlGaN/GaN на подложках Si | Предназначенные для изготовления СВЧ транзисторов типа HEMT |
ИФП СО РАН | Структуры гетероэпитаксиальные InAlSb/InSb | Предназначенные для изготовления ИК фотоприемников nBn типа специального и общего назначения |
ИФП СО РАН | Структуры гетероэпитаксиальные InAlSb/InAs | Предназначенные для изготовления СВЧ транзисторов типа HEMT |
ФИЦ КНЦ СО РАН | Разработка пассивных компонентов антенно-фидерного тракта систем радиоэлектроники | Разработка конструкции устройств миллиметрового диапазона длин волн |
ФИЦ КНЦ СО РАН | Разработка, подготовка и серийное производство высокочастотных компонентов | Разработка тонкопленочных элементов электронной компонентной базы |