Квон Зе Дон

Квон Зе Дон
Звание: 
член-корреспондент РАН
Степень: 
доктор физико-математических наук
Научно-административная деятельность и образование

Член-корреспондент РАН c 02.06.2022 - Отделение физических наук РАН (Физика)

Место работы и должность

Квон З.Д. – специалист в области физики конденсированного состояния, автор более 300 научных работ. Количество цитирований в Web of Science – 3018, Индекс Хирша - 31.

Основные научные результаты Квона З.Д.:

1. Впервые определена величина рашбовского спинового расщепления в двумерных электронных системах без центра инверсии.

2. Впервые экспериментально исследованы такие ключевые явления физики мезоскопических систем как мезокопический фотогальванический эффект и мезокопическая термоэдс.

3. Созданы и исследованы новые разновидности твердотельных электронных биллиардов и обнаружены устойчивые электронные траектории и фрактальной структура их фазового пространства.

4. Обнаружены двумерный полуметалл и квантовых ямах на основе HgTe и Андерсоновская локализации в двумерной электронно-дырочной системе.

5. Всесторонне и последовательно исследованы двумерные и трехмерные топологические изоляторов на основе HgTe и на основе этого впервые наблюдались различные сценарии Андерсоновской локализации, а также явления, связанные с жесткой связью спина и электрона.

Квон З.Д. с 1986 года преподает в Новосибирском государственном университете на кафедре «Физика полупроводников», с 1991 года - профессор этой кафедры. Он разработал и читает годовой спецкурс «Физика тонких полупроводниковых слоев и низкоразмерных систем»; под его руководством и научном консультировании защищено 3 докторские и 6 кандидатских диссертаций.

Квон З.Д. является рецензентом журналов «Письма в ЖЭТФ», «ЖЭТФ», Phys.Rev.Lett., Phys.Rev.В. и др., эксперт РФФИ и РНФ.

Адрес на портале РАН: