Новости

Во вторник, 27 января 2026 г., в конференц-зале Административного корпуса Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН состоятся защиты диссертаций:

• в 15 часов - защита диссертации Пономарева С.А. «Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте», представленной на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук по специальности 1.3.8 – физика конденсированного состояния.
• в 16 часов 30 минут - защита диссертации Майдэбуры Я.Е. «Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии», представленной на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук по специальности 1.3.11 – физика полупроводников.