Асеев Александр Леонидович

Асеев Александр Леонидович
Звание: 
академик РАН, профессор
Степень: 
доктор физико-математических наук
Научно-административная деятельность и образование

Член-корреспондент c 26.05.2000 - Отделение информационных технологий и вычислительных систем РАН, Сибирское отделение РАН

Академик c 25.05.2006 - Отделение физических наук РАН (Сибирское отделение РАН, физика)

Вице-президент Российской академии наук c 02.06.2008 по 28.09.2017

Направления деятельности: Полупроводниковые структуры.

Место работы и должность

В 1968 г. закончил Новосибирский государственный университет. В 1975 г. защитил кандидатскую диссертацию «Формирование дислокационной структуры монокристаллических слоёв кремния и германия на различных подложках», в 1990 г. защитил докторскую диссертацию «Структурные перестройки в кристаллах кремния и германия при большой скорости генерации точечных дефектов». В 2000 г. избран членом-корреспондентом РАН по Отделению информатики, вычислительной техники и автоматизации РАН (специальность «элементная база микроэлектроники»).

Основное направление научной деятельности А.Л. Асеева связано с изучением атомной структуры и электронных свойств полупроводниковых систем пониженной размерности, развитием технологий полупроводниковой микро-, опто- и наноэлектроники. А.Л. Асеевым и его сотрудниками изучены атомные механизмы процессов кластеризации собственных точечных дефектов в кремнии и германии, свойства моноатомных ступеней на поверхности кремния. Под руководством и при непосредственном участии А.Л. Асеева разработана технология получения фоточувствительных слоев кадмий-ртуть-теллур методом молекулярно-лучевой эпитаксии и технология формирования полупроводниковых структур с квантовыми ямами, использующихся при изготовлении матричных и линейчатых фотоприёмных устройств для нового поколения инфракрасной техники. При активном участии А.Л. Асеева разрабатываются нанотранзисторы в структурах кремний-на-изоляторе, новые типы элементов памяти и элементов силовой электроники. В настоящее время А.Л. Асеев – главный научный сотрудник Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. А.Л. Асеев - член Научных советов РАН по физике полупроводников, физико-химическим основам полупроводникового материаловедения, электронной микроскопии, заместитель председателя Научного совета «Фундаментальные проблемы создания элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем» РАН, председатель докторского диссертационного совета, член редколлегий журналов РАН «Физика и техника полупроводников» и «Автометрия», «Известия ВУЗов. Материалы электронной техники», «Crystal Research and Technology», «Микро- и наносистемная техника», «Российские нанотехнологии», электронного журнала «Surface Science and Nanotechnology». А.Л. Асеев - профессор филиала Кафедры физики полупроводников Томского государственного университета. Под его руководством защищено 4 кандидатских и 2 докторских диссертации. А.Л. Асеев – автор и соавтор 200 научных работ, из них 5 монографий и 9 патентов.

Адрес на портале РАН: