Член-корреспондент c 29.05.2008 - Отделение нанотехнологий и информационных технологий (Секция - Нанотехнологии, Специальность - наноэлектроника)
Направления деятельности: Наноэлектроника
Место работы и должность
В 1968 г. окончил Новосибирский государственный университет по специальности «физика». В 1974 г. защитил кандидатскую диссертацию «Взаимодействие дефектов, введенных ионной бомбардировкой, между собой и примесью», в 1988 г. защитил докторскую диссертацию «Радиационная модификация неупорядоченных систем на основе кремния». В 1993 г. ему было присвоено звание профессора.
Область научных интересов А.В. Двуреченского: радиационные явления, атомная и электронная структура, электронные процессы в полупроводниковых низкоразмерных системах и приборах на их основе. Основное направление научных работ в настоящее время: полупроводниковые гетероструктуры с квантовыми точками: зарождение и рост нанокристаллов при эпитаксии из ионно-молекулярных пучков, электронный транспорт и оптические явления, лазерный отжиг, наноприборы. В этом направлении выполнены пионерские работы по созданию класса полупроводниковых структур с нанокристаллами германия в кремнии (двухмерные и трехмерные ансамбли квантовых точек). Выявлены одноэлектронные и коллективные эффекты, установлены электронная структура одиночных и ансамбля туннельно-связанных квантовых точек, закономерности переноса заряда, оптических переходов и спиновых состояний, разработаны и созданы важные для развития элементной базы наноэлектроники новые конструкции приборов.
А.В. Двуреченский с 1968 г. работает в Институте физики полупроводников (ИФП) им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН, на должностях стажера-исследователя, младшего, старшего, ведущего научного сотрудника, заведующего Лабораторией неравновесных полупроводниковых систем.
А.В. Двуреченский - член бюро Научного совета по радиационной физике твердого тела РАН, Научных советов по физике полупроводников и физико-химическим основам полупроводникового материаловедения РАН, редколлегии журнала "Известия вузов, материалы электронной техники”, заместитель председателя докторского диссертационного совета при ИФП им. А.В. Ржанова СО РАН.
А.В. Двуреченский - профессор Кафедры физики полупроводников Новосибирского государственного университета. Среди его учеников 2 доктора и 12 кандидатов наук.
А.В. Двуреченский - автор и соавтор 287 научных работ, из них 5 монографий, 10 авторских свидетельств и 4 патентов.
Двуреченский А.В. – специалист по радиационным явлениям, атомной структуре, электронным процессам в полупроводниковых низкоразмерных системах и приборах на их основе.
Основные научные результаты Двуреченского А.В.:
разработана с сотрудниками технология нового класса полупроводниковых структур с нанокристаллами германия в кремнии (двухмерные и трехмерные ансамбли квантовых точек) на основе исследованных морфологических изменений поверхности при росте из молекулярных, ионно-молекулярных пучков и последующего лазерного отжига; разработаны методы, обеспечивающие повышение однородности ансамбля квантовых точек по размерам;
выполнены пионерские работы по изучению свойств созданных наноструктур, выявлены одноэлектронные и коллективные эффекты, установлены электронная структура одиночных и ансамбля туннельно-связанных квантовых точек, закономерности переноса заряда, оптических переходов и спиновых состояний; обнаружен и изучен ряд новых парамагнитных центров;
на основе полученных фундаментальных результатов разработаны и созданы новые конструкции фотоприемников, элементов памяти, созданы одноэлектронные транзисторы, резо-нансно-туннельные диоды на кремниевых структурах с квантовыми точками.
Двуреченский А.В. ведет преподавательскую работу, являясь профессором Новосибирского государственного университета.
Двуреченский А.В. – член бюро Научного совета по радиационной физике твердого тела РАН, Научного совета по физике полупроводников РАН, редколлегии журнала «Известия вузов, материалы электронной техники», заместитель председателя диссертационного совета при ИФП СО РАН.
