Сибирское отделение РАН — крупнейший интегратор и основной эксперт научно-исследовательских, научно-образовательных, опытно-конструкторских и производственных организаций востока России.
24 ноября 2019 года Президент РАН Александр Сергеев и Председатель СО РАН Валентин Пармон посетили Томский научный центр СО РАН. После общения с учеными Александр Сергеев намерен обратиться в правительство РФ с вопросом о предоставлении Институту оптики атмосферы СО РАН самолета-лаборатории взамен устаревшего.
21 ноября 2019 года Татьяна Голикова и Андрей Фурсенко провели заседание президиума совета по реализации Федеральной научно-технической программы развития генетических технологий.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН объявляет традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Он состоится 22 ноября, участвовать могут сотрудники ИФП СО РАН до 33 лет: специалисты, защитившие магистерскую диссертацию в этом году, аспиранты, в том числе, аспиранты НГУ, НГТУ, проводящие исследования в лабораториях ИФП СО РАН, стажеры-исследователи, инженеры, принимающие участие в исследовательской работе и научные сотрудники.
В Институте сильноточной электроники СО РАН (Томск) успешно завершен двухлетний цикл работ по разработке и производству опытного образца источника электронного пучка для стерилизации пластиковых пакетов, предназначенных для хранения плазмы крови.
Заведующий отделом физической электроники ИСЭ СО РАН, д.ф.-м.н. Владислав Ростов:
Заместитель председателя Правительства РФ Татьяна Голикова выступила на заседании во второй день Общего собрания РАН: «Не могу не сказать еще об одной программе, которую нам совместно с Российской академией наук и ее учреждениями предстоит реализовать.
Законом предусматривается возможность участия российских ученых и студентов в организуемых ЦЕРН Школе физики ускорителей, Вычислительной школе, Европейской школе физики и Летней школе ЦЕРН для студентов.
Исследователи Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН создали новый материал для мемристоров (резисторов, обладающих памятью). Разработанные структуры могут использоваться для изготовления элементов памяти гибкой электроники: они выдерживают многочисленные деформации, способны хранить и многократно перезаписывать информацию всего за 30 наносекунд.
