Новости

7

14.11.2023. Новость

Ученые Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН обнаружили новые квантовые явления в транспорте электронов. Эффекты связаны с наблюдением и исследованием мезоскопических флуктуаций проводимости в двумерном полуметалле. Работа выполнялась в рамках крупного научного проекта «Квантовые структуры для посткремниевой электроники», результаты опубликованы в журнале Nanomaterials.

14.11.2023. Новость

15 ноября 2023 года в 9.30 часов в конференц-зале Института теплофизики состоится защита диссертации инженера лаборатории суперкомпьютерных вычислений и искусственного интеллекта в энергетических технологиях Толстогузова Романа Владимировича «Экспериментальное исследование структуры импактной струи с закруткой и горением» на соискание ученой степени кандидата кандидата физико-математических наук по специальности 1.3.14. Теплофизика и теоретическая теплотехника.

14.11.2023. Новость

Организаторы: ИГАБМ СО РАН, СВФУ им. М.К. Аммосова, Академия наук РС(Я), Сибирское отделение РАН.

Научные направления:

  • Тектоника, геодинамика и эволюция литосферы.
  • Геология и минералогия месторождений полезных ископаемых.
  • Гидрогеология, геоэкология и мерзлотоведение.
  • Петрогенезис магматических комплексов.
  • Металлогения и рудообразующие системы различных геодинамических обстановок.

14.11.2023. Новость

В 1940-х годах профессор Геннадий Поспелов создал небольшую коллекцию руд Сибири, позже она переросла в научное подразделение Института геологии и геофизики Сибирского отделения АН СССР. 65 лет назад его зарегистрировали в Госреестре музеев Советского Союза, и он стал доступен широкой публике. Экспозиции насчитывают тысячи уникальных экспонатов. Хранители сокровищ геологического музея охотятся за уникальными драгоценными поделочными и обычными полезными ископаемыми. В музее собрано больше 20 тысяч экспонатов. Их привозят из экспедиций и выставок.

14.11.2023. Новость

27 октября 2023 года в торжественной обстановке в Академгородке прошла линейка посвящения школьников восьмых классов трех Базовых школ Российской академии наук в молодые ученые. В качестве символа нового статуса, ребята получили ленты и значки учеников классов РАН. Ученые не только рассказали о своей работе, но и поздравили ребят яркими творческими выступлениями.

14.11.2023. Новость

Завершен третий совместный конкурс по поддержке российско-китайских научных коллективов. Конкурс проводился Российским научным фондом совместно с Государственным фондом естественных наук Китая (NSFC). По итогам экспертизы поддержку получит 51 проект. Размер одного гранта со стороны РНФ составит от 4 до 7 миллионов рублей ежегодно, а сами научные проекты планируются к реализации в 2024–2026 годах.

14.11.2023. Новость

13 ноября 2023 года Заместитель Председателя Правительства Дмитрий Чернышенко в своём докладе рассказал о ключевых достижениях в сфере научно-технологического развития и реализации ключевых инициатив Президента за прошедший год: «Госпрограмма научно-технологического развития была сфокусирована на решении четырёх задач: укрепление технологического суверенитета, о важности которого неоднократно говорил Президент, развитие кадрового потенциала и инфраструктуры, поддержка новых регионов. Нам впервые удалось остановить тенденцию сокращения научных кадров.

13.11.2023. Новость

Департамент государственной научной и научно-технической политики Минобрнауки России сообщает, что 7-8 декабря 2023 г. в Санкт-Петербурге при поддержке Государственной комиссии по развитию Арктики состоится XIII Международный форум «Арктика: настоящее и будущее».

13.11.2023. Новость

14 ноября 2023 года в 14:35 по новосибирскому времени состоится заседание семинара ФИЦ ИВТ «Информационные технологии».

На семинаре Шагалова П.А., Савкин А.Е., Соколова Э.С.  (Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева), выступят с докладом «Алгоритмы анализа изображений, полученных при микроскопии крови».
Подробнее

13.11.2023. Новость

Объявление о проведение конкурса работ, представляемых на соискание премий Правительства Российской Федерации 2024 года в области науки и техники.