Новости СО РАН

Письмо от 17.04.2019 № 10104-1124/78 

В письме Президента РАН академика Александра Сергеева, в частности, сказано: «Сейчас от позиции академического сообщества во многом будет зависеть не только будущее Академии, но и судьба всей нашей науки как базового института развития России и обеспечения ее обороны и безопасности. Призываю всех членов Российской академии наук принять активное участие в работе Общего собрания членов РАН». 

19 апреля в 14:00 в Сибирском государственном университете телекоммуникаций и информатики состоится лекция академика РАН Александра Леонидовича Асеева «Полупроводниковые наноструктуры для современной электроники».

Александр Леонидович Асеев — российский ученый-физик, академик РАН, доктор физико-математических наук, главный научный сотрудник Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, и.о. директора Аналитического и технологического инновационного центра НИУ НГУ, специалист в области атомных структур, электронных свойств и диагностики полупроводниковых систем пониженной размерности. Родился в Улан-Удэ 24 сентября 1946 года. В 1968 г. после окончания физфака НГУ, пришел на работу в ИФП СО АН СССР. Прошел путь от стажера-исследователя до директора института (1998-2013). В 1975 году защитил кандидатскую, в 1990 — докторскую диссертации. В 2008-2017 гг. - вице-президент Российской академии наук, председатель Сибирского Отделения РАН. Публикации: автор и соавтор более 250 научных работ, в том числе 5 монографий и 9 патентов. Ученики: 4 кандидата и 2 доктора наук. Научные достижения: под его руководством создан научно-технологический комплекс для получения и исследования полупроводниковых микро- и наноструктур, что обеспечило ИФП СО РАН передовые позиции в этой области в России и в мире. При его участии выполнены классические работы по изучению свойств моноатомных ступеней на поверхности кремния и атомных механизмов процессов кластеризации собственных точечных дефектов в кремнии и германии. Совместно с коллегами разработал технологию молекулярно-лучевой эпитаксии для получения фоточувствительных слоев кадмий-ртуть-теллур и полупроводниковых структур с квантовыми ямами для нового поколения инфракрасных фотоприемных устройств. Ведутся работы по созданию нанотранзисторов, новых типов элементов памяти, элементов наноэлектроники и нанофотоники. Является пионером и инициатором работ в СО РАН по нано- и квантовым технологиям. Внес основополагающий вклад в организацию работ институтов СО РАН с предприятиями реального сектора экономики России и в программу реиндустриализации Новосибирской области. Награды: Медали ордена «За заслуги перед Отечеством I и II степени (2008, 2017); лауреат Премии Правительства РФ в области образования (2012); почетный член ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН; удостоен многих ведомственных и региональных наград, медалей Монголии и Казахстана; иностранный член Академий наук Монголии и Беларуси, почетный житель города Улан-Удэ.

17 апреля 2019 года по результатам тайного голосования общим собранием коллектива Института физики прочности и материаловедения СО РАН директором избран д.т.н. Евгений Колубаев. 

Колубаев Евгений Александрович родился в Томске в 1979 году. В 2002 году с отличием окончил физический факультет Томского государственного университета. Диссертацию на соискание степени доктора технических наук «Формирование градиентной структуры металлов и сплавов в условиях адгезионного взаимодействия при трении скольжения и сварке трением с перемешиванием» защитил в 2016 году. В 2016-2018 годах работал заместителем директора по развитию Института физики высоких технологий Национального исследовательского Томского политехнического университета. С мая 2018 года - заместитель директора по научной работе ИФПМ СО РАН.

17 апреля 2019 года Дмитрий Медведев представил в Государственной Думе отчёт о результатах деятельности Правительства России за 2018.
Из доклад Дмитрий Медведева:   «Сейчас наука (как, собственно, и в прежние годы, но сейчас в особенности) определяет облик будущего. Здесь помимо развития передовой инфраструктуры научных исследований, современных лабораторий мы продолжим налаживать тесное сотрудничество вузов, научных организаций и бизнеса. Потому что только в таком единстве в настоящий момент и можно развивать науку. На этой базе уже созданы центры компетенций Национальной технологической инициативы. За три ближайших года у нас должно появиться не менее 15 научно-образовательных центров. Они станут площадкой для проектов полного инновационного цикла. Мы первые 5 организаций отберём уже в ближайшие два месяца.
Кроме того, на базе ведущих университетов в каждом федеральном округе будут работать 8 специализированных учебно-научных центров. Они будут готовить современных специалистов на принципах непрерывного образования – то есть от школы до вуза в одной образовательной организации». 

Комиссия Министерства науки и высшего образования Российской Федерации объявляет конкурс проектов по проведению фундаментальных научных исследований по приоритетным направлениям, определяемым президиумом Российской академии наук.
Работы, оформленные в соответствии с изложенными в Перечне требованиями, принимаются от представителя участника конкурсного отбора в Министерстве науки и высшего образования Российской Федерации по адресу: ул. Тверская, д. 11, г. Москва, начиная с даты публикации настоящего объявления до 24 апреля 2019 года.

​В 2019 году исполняется полвека с начала работы Комплексной магнито-ионосферной станции (КМИС), входящей в состав Института нефтегазовой геологии и геофизики им. А.А. Трофимука СО РАН. 
В настоящее время в ИНГГ СО РАН ведутся работы, направленные на выявление связи между глубинной геодинамикой и высокими слоями атмосферы. Ранее считалось, что на изменения в ионосфере наибольшее влияние оказывает Солнце или космическая погода, и внутриатмосферные факторы почти не учитывались при моделировании текущей ситуации. Однако в последние десятилетия разрабатывается другая концепция. Многие ученые полагают, что ионосфера также изменяется под воздействием событий, происходящих в нижних слоях атмосферы, на поверхности и даже глубоко в недрах планеты.
Зав. лабораторией (обсерваторией) солнечно-земной физики ИНГГ СО РАН, к.ф.-м.н. Анастасия Белинская: 
– По состоянию ионосферы можно попытаться определить предвестники землетрясений, которые могут помочь в определении момента сейсмического события. Это особенно актуально для регионов, где землетрясения происходят регулярно – например, для Алтая.

Новосибирский региональный общественный фонд информатики и искусства программирования им. академика А.П. Ершова и Институт систем информатики имени А.П. Ершова СО РАН организуют очередную XIV лекцию ежегодного цикла лекций по информатике и программированию памяти основателя сибирской школы программирования академика Андрея Петровича Ершова. Лекции приурочиваются к дню рождения ученого — 19 апреля.

18 апреля 2019 года в 16:00 в Новосибирском Технопарке (Точка кипения – Новосибирск) по адресу: ул. Николаева, 11, этаж 13, состоится XIV Ершовская лекция по информатике.

Тема лекции: «Современные тенденции в автоматической обработке текстов».

Лекцию прочитает доктор технических наук, ведущий научный сотрудник НИВЦ МГУ имени М.В. Ломоносова, профессор МГТУ имени Н.Э. Баумана, профессор филологического факультета МГУ имени М.В. Ломоносова, известный специалист в области компьютерной лингвистики Наталья Валентиновна Лукашевич.

Желающим посетить лекцию нужно подать заявку на сайте Точки кипения.

В Москве прошло ежегодное пленарное заседание научного совета при Совете безопасности РФ. Секретарь Совбеза РФ Николай Патрушев сообщил, что по оборонной и оборонно-промышленной проблематике экспертами Совбеза был рассмотрен вопрос использования цифровых технологий на предприятиях оборонно-промышленного комплекса. Уделялось внимание вопросам научных фундаментальных достижений, а также лабораторных и полигонных испытаний в интересах создания перспективной высокотехнологичной продукции военного, специального и двойного назначения.
В сфере обеспечения информационной безопасности была рассмотрена проблематика развития искусственного интеллекта, а также обеспечение информационной безопасности в работе сетей связи общего пользования.
Отдельно вырабатывались решения по правовому регулированию защиты персональных данных при трансграничной передаче информации, а также проработаны научные подходы к обеспечению защиты населения от чрезвычайных ситуаций природного и техногенного характера.

17 апреля 2019 года в Томске будут проходить выборы директора Института физики прочности и материаловедения СО РАН. На пост руководителя претендуют:  
д.ф.-м.н. Каминский Петр Петрович, 
д.т.н. Колубаев Евгений Александрович, 
д.т.н. Панин Сергей Викторович.