Новости

19 апреля в 14:00 в Сибирском государственном университете телекоммуникаций и информатики состоится лекция академика РАН Александра Леонидовича Асеева «Полупроводниковые наноструктуры для современной электроники».

Александр Леонидович Асеев — российский ученый-физик, академик РАН, доктор физико-математических наук, главный научный сотрудник Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, и.о. директора Аналитического и технологического инновационного центра НИУ НГУ, специалист в области атомных структур, электронных свойств и диагностики полупроводниковых систем пониженной размерности. Родился в Улан-Удэ 24 сентября 1946 года. В 1968 г. после окончания физфака НГУ, пришел на работу в ИФП СО АН СССР. Прошел путь от стажера-исследователя до директора института (1998-2013). В 1975 году защитил кандидатскую, в 1990 — докторскую диссертации. В 2008-2017 гг. - вице-президент Российской академии наук, председатель Сибирского Отделения РАН. Публикации: автор и соавтор более 250 научных работ, в том числе 5 монографий и 9 патентов. Ученики: 4 кандидата и 2 доктора наук. Научные достижения: под его руководством создан научно-технологический комплекс для получения и исследования полупроводниковых микро- и наноструктур, что обеспечило ИФП СО РАН передовые позиции в этой области в России и в мире. При его участии выполнены классические работы по изучению свойств моноатомных ступеней на поверхности кремния и атомных механизмов процессов кластеризации собственных точечных дефектов в кремнии и германии. Совместно с коллегами разработал технологию молекулярно-лучевой эпитаксии для получения фоточувствительных слоев кадмий-ртуть-теллур и полупроводниковых структур с квантовыми ямами для нового поколения инфракрасных фотоприемных устройств. Ведутся работы по созданию нанотранзисторов, новых типов элементов памяти, элементов наноэлектроники и нанофотоники. Является пионером и инициатором работ в СО РАН по нано- и квантовым технологиям. Внес основополагающий вклад в организацию работ институтов СО РАН с предприятиями реального сектора экономики России и в программу реиндустриализации Новосибирской области. Награды: Медали ордена «За заслуги перед Отечеством I и II степени (2008, 2017); лауреат Премии Правительства РФ в области образования (2012); почетный член ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН; удостоен многих ведомственных и региональных наград, медалей Монголии и Казахстана; иностранный член Академий наук Монголии и Беларуси, почетный житель города Улан-Удэ.