Новости

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск)
05.02.2018
Молодые ученые ИФП СО РАН получили стипендии Президента РФ

Молодые ученые Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН получили стипендии Президента РФ для исследований наноструктур, квантовых точечных контактов, сверхбыстрой оптической передачи данных, наноэлектромеханических резонаторов, графена.