Новости

14.10.2019
«Академический час для школьников» на Фестивале науки - 2019, лекция «Наноэлектроника и нанофотоника»

14 октября 2019 года в 15:00 в малом зале Дома ученых состоится лекция директора Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова академика РАН Александра Васильевича Латышева «Наноэлектроника и нанофотоника». Аннотация: о принципах работы компьютера – из чего состоят микросхемы, что такое фотоны и как они используются в компьютерах. О фотонных технологиях обработки сигналов, о существенно меньших энергопотерях и о возможностях бо́льшей миниатюризации компьютеров.

Александр Васильевич Латышев, академик РАН, доктор физико-математических наук, директор Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. Профессор, зав. кафедрой НГУ, руководитель научно-образовательного центра при НГУ «Физика конденсированных сред и физического материаловедения». Специалист в области синтеза наноразмерных структур, полупроводниковых нанотехнологий, наноэлектроники и структурной диагностики низкоразмерных систем. Родился 4 января 1959 года в г. Булаево Северо-Казахстанской области, окончил школу в 1976 году, поступил в НГУ. В 1981 г. после окончания университета начал работать в ИФП СО РАН, прошел путь от стажера-исследователя до директора. Научные интересы: физика полупроводников, физика твердого тела, поверхность, наноструктуры, рост кристаллов, структурные дефекты, эпитаксиальные технологии, нанотехнологии, электронная микроскопия, нанолитография, нанодиагностика. Полученные результаты обеспечили создание новых полупроводниковых приборов и систем, составляющих основу современного поколения элементной базы наноэлектроники. Автор и соавтор 254 научных работ, 4 монографий, имеет 9 патентов на изобретения. Подготовка научных кадров: 3 кандидата наук, 4 аспиранта. Член редколлегий журналов: «Surface Science and Nanotechnology», «Наука из первых рук», «Вестник НГУ. Серия Физика», «Физика и техника полупроводников», «Наноиндустрия» и «Успехи прикладной физики». Награды: лауреат Премии Правительства РФ в области образования, почетные грамоты РАН, Министерства образования и науки РФ, Президиума СО РАН и Президиума РАН, Фонда содействия отечественной науке.