Новости

Мемристорные структуры, напечатанные на полимерном материале, Фото Виктора Яковлева, ИФП СО РАН
14.11.2019
В ИФП СО РАН разработали материал для создания гибких элементов памяти

Исследователи Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН создали новый материал для мемристоров (резисторов, обладающих памятью). Разработанные  структуры могут использоваться для изготовления элементов памяти гибкой электроники: они выдерживают многочисленные деформации, способны хранить и многократно перезаписывать информацию всего за 30 наносекунд.  
Ведущий научный сотрудник лаборатории физики и технологии трехмерных наноструктур ИФП СО РАН, д.ф.-м.н. Ирина Антонова: «В нашей лаборатории разработана надежная, удобная и воспроизводимая технология получения фторированного графена, которой больше нет нигде в мире. 2D-печать, в свою очередь, не требует дорогостоящего оборудования, больших финансовых вложений. Конечно, персональный компьютер напечатать невозможно, но, например, телефоны сейчас стремятся сделать гибкими, как и другие гаджеты: фитнес-браслеты, носимые сенсорные системы для мониторинга состояния здоровья и так далее». 

Ошибка | Сибирское отделение Российской академии наук (СО РАН)

Ошибка

На сайте произошла непредвиденная ошибка. Пожалуйста, повторите попытку позже.