Новости

Установка молекулярно-лучевой эпитаксии в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
27.12.2019
Ученые ИФП СО РАН разработали материал, подходящий для создания перестраиваемых лазеров терагерцового диапазона

Международная группа ученых обнаружила, что полупроводниковые структуры на основе твердых растворов кадмий-ртуть-теллур, способны генерировать лазерное излучение в терагерцовом диапазоне. Более того, используя слабое магнитное поле, можно менять длину волны лазера (что важно для технологических применений). Ранее попытки сделать подобные источники когерентного излучения терпели неудачу. В успешном эксперименте приняли участие исследователи Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, синтезировавшие материал требуемого состава. 
Терагерцовое излучение проникает сквозь различные вещества, не нарушая их структуру, и поэтому может использоваться в диагностической медицине, системах безопасности, научных целях, для неразрушающего контроля качества материалов.