Новости

12 мая 2023 г. в 9.15 по адресу Пирогова, 30 состоится пресс-тур в Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. Ученые Института расскажут о разработках, ведущихся в интересах промышленности, важных для импортозамещения:

• создание полупроводниковых компонентов для оптоволоконных систем связи, систем передачи данных через открытое пространство,
• разработка технологии синтеза кристаллических пленок на основе нитрида галлия алюминия на кремниевых подложках. В РФ эта технологическая задача еще не решена. Такой полупроводниковый материал нужен при создании силовых транзисторов, систем беспроводной зарядки и  других применений.

Также специалисты Института расскажут и о фундаментальных работах: исследовании свойств новых материалов, перспективных для создания электроники будущего.