Новости

Дипломом за лучший устный доклад «Исследование типа проводимости пленок нестихеометрических германо-силикатных стекол» было отмечено выступление аспирантки НГУ, лаборанта-исследователя Лаборатории функциональной диагностики низкоразмерных структур для наноэлектроники Аналитического и технологического исследовательского центра «Высокие технологии и наноструктурированные материалы Физического факультета НГУ Гайсаа Хамуд на 16-й Валиевской международной конференции «Микро- и наноэлектроника - 2025», проходившей с 6 по 10 октября в Ярославле. Свой доклад молодая исследовательница, которая также является инженером-исследователем Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, представила в рамках работы секции «Материалы для приборов оптоэлектроники».

Мы первыми изучили тип проводимости в германосиликатных стеклах. В этом и состоит новизна моего исследования. Данные знания важны для понимания механизма проводимости в этих неидеальных диэлектриках (в которых существенны так называемые токи утечки), — рассказала Гайсаа Хамуд. Изучением свойств германосиликатных стекол молодая исследовательница занялась в самом начале обучения в аспирантуре около трех лет назад под научным руководством ведущего научного сотрудника Лаборатории функциональной диагностики низкоразмерных структур для наноэлектроники отдела АТИЦ Физического факультета НГУ, ведущего научного сотрудника Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, профессора кафедры общей физики, доктора физико-математических наук Владимира Володина. Около года заняло исследование типа проводимости в этих структурах.