Новости
25.09.2026
Ученые Института физики полупроводников усовершенствовали пленки хай-кей диэлектрика на основе диоксида гафния
Аспирант Института полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) представил сообщение на Международной конференции «Атомно-слоевое осаждение: Россия-2026». Доклад посвящен исследованию сверхтонких плёнок хай-кей (high-k) диэлектриков на основе диоксида гафния внутри кремния. Сообщение признано лучшим среди докладов молодых учёных конференции.
Кроме того, исследуемый вариант диэлектрика обладает сегнетоэлектрическими свойствами, то есть может сохранять поляризацию при выключении внешнего электрического поля. Этот эффект может применяться при создании ячеек памяти или транзисторов с регулируемым порогом открытия», — объясняет аспирант ИФП СО РАН Владимир Евгеньевич Жилицкий.