ОФ ИФП СО РАН | Сибирское отделение Российской академии наук (СО РАН)

ОФ ИФП СО РАН

Омский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН

In English

In Russian

Юридическое название организации:

Омский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

ОФ ИФП СО РАН

644018, Омск, ул. 5 Кордная, 29

Тел.:+7(381-2) 56-01-74

Факс:+7(381-2) 56-01-74

E-mail:bolotov@obisp.oscsbras.ru

WWW:http://www.obisp.oscsbras.ru/departments/

Дата редактирования информации: 21.04.2016

Скрыть Основные направления научной деятельности

Основное научное направление ОФ ИФП СО РАН:

Физико-химические основы микросенсорики: материалы и элементная база интеллектуальных интегрированных сенсоров для систем управления, робототехники, контроля жидких и газовых сред и экологического мониторинга.

Области исследования

физика полупроводников и диэлектриков
физические основы технологических методов получения полупроводниковых материалов, композитных структур, структур пониженной размерности и полупроводниковых приборов и интегральных устройств на их основе
моделирование свойств и физических явлений в полупроводниках и структурах, технологических процессов и полупроводниковых приборов
теоретическое и экспериментальное исследование воздействия различных видов излучений, высокотемпературной плазмы на природу изменений физических свойств конденсированных веществ.

Скрыть Историческая справка

Омский филиал Института физики полупроводников СО РАН (в дальнейшем ОФ ИФП СО РАН, до 2003 г - Институт сенсорной микроэлектроники СО РАН) создан 29 апреля 1991 г., зарегистрирован Исполкомом Совета народных депутатов Советского района г. Омска (Решение № 98 от 26.03.1991 г.).

Администрация и сотрудники

Перейти на страницу

ОНЦ СО РАН

Администратор базы данных: Рычкова Елена Владимировна, e-mail: helen@ict.nsc.ru