TDIAM SB RAS

Novosibirsk Division of Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of the Siberian Branch of the RAS “Technological Design Institute of Applied Microelectronics”
In English
In Russian
Юридическое название организации:
Novosibirsk Division of Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of the Siberian Branch of the RAS "Technological Design Institute of Applied Microelectronics"
Physics
TDIAM SB RAS
2/1, Ac. Lavrentieva ave., Novosibirsk, Russia, 630090
Тел.:+7(383) 330-65-59
Факс:+7(383) 316-57-26
E-mail:ktipm@oesd.ru
Дата редактирования информации: 22.12.2011
Перейти на страницу
ISP SB RAS
Перейти на страницу
NSC SB RAS


Администратор базы данных: Рычкова Елена Владимировна, e-mail: helen@ict.nsc.ru